类型：肖特基二极管
　　封装形式：SOT-23
　　最大反向电压：70V
　　最大正向电流：20mA
　　工作频率范围：DC至1GHz
　　电容（在1MHz）：0.4pF
　　正向电压（@1mA）：典型值0.25V
　　反向漏电流（@25°C）：最大100nA

HSMP3800-TR1G 具备多项优异的电气和物理特性，使其适用于多种射频和模拟应用。
　　首先，其采用的肖特基结构提供了较低的正向导通电压（典型值为0.25V），从而减少了信号损耗，提高了检测灵敏度，尤其适合于微弱射频信号的检测和整流。
　　其次，该器件具有较低的结电容（0.4pF），这有助于在高频环境下保持良好的信号传输性能，使其在1GHz以下的射频电路中表现良好。
　　此外，HSMP3800-TR1G 的反向漏电流在常温下不超过100nA，保证了在高阻断状态下的稳定性，适用于高精度检测电路。
　　其SOT-23封装不仅体积小巧，便于表面贴装，还具备良好的热稳定性和机械强度，适合用于便携式设备和高密度电路板设计。
　　最后，该器件的工作温度范围宽（-55°C至+150°C），适用于工业级应用环境。

HSMP3800-TR1G 主要应用于以下几类电子系统：
　　1. 射频信号检测：如在无线接收机中用于检测射频信号强度，广泛用于WLAN、蓝牙、ZigBee等无线通信模块。
　　2. 混频与调制解调：作为非线性元件用于混频器或解调电路中，实现频率转换或信号解调。
　　3. 低功率整流电路：用于将射频信号转换为直流电压，例如在能量收集系统或射频标签（RFID）中。
　　4. 测试测量设备：用于射频测试仪器中的信号采样和检测。
　　5. 传感器接口电路：用于将射频激励信号转换为可测量的直流电压信号，广泛应用于无线传感器网络中。
　　6. 保护电路：作为高频信号路径中的钳位或限幅元件，保护后续电路免受过压或静电放电（ESD）损害。

HSMS-2850, SMS7630, BB112, HSMP-4815