类型：肖特基二极管
　　封装类型：SMT（表面贴装）
　　工作频率范围：DC至10GHz
　　最大正向电流：20mA
　　最大反向电压：5V
　　电容（@1MHz）：0.3pF
　　正向电压（@1mA）：0.25V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装规格：SOT-23

HSMP-386E-TR2G具有多项优异的电气和物理特性，使其在射频系统中表现出色。首先，其低正向电压降（仅0.25V @1mA）确保在低功耗条件下仍能提供良好的导通性能，这在电池供电设备中尤为重要。其次，该器件的电容值非常低，仅为0.3pF（@1MHz），使其在高频应用中具有良好的信号完整性，减少高频损耗和失真。此外，HSMP-386E-TR2G具备快速响应时间，适合用于高频检波和调制电路。该器件的工作频率范围覆盖DC至10GHz，适用于广泛的射频和微波应用。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产和表面贴装工艺，提高了整体系统集成度和可靠性。此外，HSMP-386E-TR2G具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在极端环境下稳定运行，适用于工业级和军事级应用。综合来看，HSMP-386E-TR2G是一款在性能、可靠性和封装设计方面均表现出色的射频肖特基二极管。

HSMP-386E-TR2G适用于多种射频和微波电路应用，例如射频检波器、混频器、调制解调器、功率检测电路和信号处理模块。该器件在无线通信系统（如蜂窝网络、Wi-Fi和蓝牙模块）、测试与测量设备、雷达系统和卫星通信设备中均有广泛应用。由于其高频特性和低电容，特别适合用于高精度信号检测和高速开关应用。此外，在物联网（IoT）设备和智能传感器网络中，HSMP-386E-TR2G也可作为关键的射频信号处理元件，确保设备在复杂电磁环境下的稳定运行。

HSMP-386C-TR2G, HSMP-3890-TR2G