时间：2025/8/1 13:02:10
阅读：17
CS55N10A4是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电流和高功率应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，非常适合用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：50A
漏源击穿电压（VDS）：100V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约7.5mΩ（典型值）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至+175°C
CS55N10A4的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率；高电流处理能力，使其适用于高功率密度设计；宽工作温度范围确保在极端环境下也能稳定运行；此外，其耐用的封装形式提供了良好的散热性能，增强了器件的可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的兼容性，同时具备较低的开关损耗，这对于高频应用来说尤为重要。CS55N10A4还具备良好的抗雪崩能力和过热保护功能，能够在恶劣的电气环境中保持稳定工作。
此MOSFET的制造工艺采用了先进的沟槽式技术，优化了导通电阻与开关性能之间的平衡，从而满足了现代电源系统对高效率和高性能的需求。
CS55N10A4广泛应用于多种电力电子系统，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。此外，它还适用于需要高可靠性和高效率的消费类电子产品、通信设备和汽车电子系统。
IRF1405, STP55NF06, FDP55N10A4
