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HSMP-386C-TR2G 发布时间 时间:2025/9/15 15:02:30 查看 阅读:11

HSMP-386C-TR2G 是一款由Broadcom(安华高)制造的表面贴装封装的射频二极管。该器件主要用于射频和微波应用,具备高频率响应和低失真特性,适用于各种无线通信系统、射频检测、混频和调制解调功能。HSMP-386C-TR2G 采用小型封装,便于在紧凑的电路板上安装,同时具备出色的稳定性和可靠性。

参数

类型:射频二极管
  材料:砷化镓(GaAs)
  封装类型:SMD/SMT
  工作频率范围:最高可达10GHz
  最大反向电压:5V
  正向电流:20mA
  功率耗散:100mW
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C

特性

HSMP-386C-TR2G 是一款性能优异的射频二极管,采用GaAs(砷化镓)材料制造,具备优异的高频响应和低失真特性。其SMD(表面贴装)封装形式便于自动化装配,并减少PCB(印刷电路板)空间占用。该器件的典型应用频率范围可达10GHz,适合用于射频检测、混频、倍频和调制解调等高频电路。
  该二极管具有低结电容和快速恢复时间,使其在高频率环境下仍能保持良好的性能。此外,HSMP-386C-TR2G 的正向压降低于0.3V,有助于减少电路中的功率损耗,提高整体效率。其反向击穿电压为5V,最大正向电流为20mA,适合用于低功率射频信号处理。

应用

HSMP-386C-TR2G 广泛应用于射频和微波通信系统,如蜂窝基站、无线局域网(WLAN)、射频识别(RFID)、雷达和测试仪器等。该器件可作为射频检测器、混频器、倍频器和调制解调器中的关键组件,提供稳定可靠的信号处理能力。此外,HSMP-386C-TR2G 也可用于射频功率测量、频率合成和无线传感器网络等场景,满足多种高频电路设计需求。

替代型号

HSMP-386B-TR2G, HSMP-389C-TR2G, HSMS-286C-TR2G

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HSMP-386C-TR2G参数

  • 数据列表HSMP-386x
  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型PIN - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大)50V
  • 电流 - 最大1A
  • 电容@ Vr, F0.2pF @ 50V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)