HSMP-381Z-TR1G 是由安华高科技(Avago Technologies)生产的一款表面贴装形式的PIN二极管,主要设计用于高频和射频(RF)开关、衰减器以及信号控制应用。这款二极管具有良好的射频性能和快速的响应时间,适合在无线通信、测试设备和射频模块中使用。该器件采用SOT-23封装,便于自动化生产和高密度PCB布局。
型号:HSMP-381Z-TR1G
类型:PIN二极管
封装:SOT-23
最大正向电流:100 mA
最大反向电压:100 V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-65°C ~ +175°C
接点电容(典型值):0.35 pF
正向压降:1.8 V @ 10 mA
导通电阻:250 Ω @ 10 mA
射频功率处理能力:+30 dBm
HSMP-381Z-TR1G 是一款专为射频和微波应用优化的PIN二极管。其主要特点包括低电容、快速开关速度和高射频功率处理能力,这些特性使其非常适合用于射频开关和衰减器电路中。
首先,该器件的结电容非常低,典型值为0.35 pF,这有助于减少射频信号路径中的插入损耗,并提高高频性能。这种低电容特性使其在高频和微波频段下仍能保持良好的阻抗匹配和信号完整性。
其次,该PIN二极管具有快速的开关特性,能够在射频信号路径中实现快速的通断控制,适用于需要动态调整信号路径的应用,如T/R开关或可变衰减器。其正向导通电阻在10 mA时约为250Ω,随着电流的增加,电阻会进一步降低,从而提供更低的插入损耗。
此外,该器件能够承受高达+30 dBm的射频功率,在高功率射频系统中表现出良好的稳定性和可靠性。其SOT-23封装形式不仅节省空间,而且便于表面贴装工艺,适用于自动化生产流程。
最后,HSMP-381Z-TR1G的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,具有良好的环境适应性,适用于工业级和汽车电子应用。
HSMP-381Z-TR1G 主要用于需要高频信号控制和射频功率处理的电路中。其典型应用包括射频开关、可变衰减器、天线调谐电路、测试与测量设备中的信号路径控制、无线通信系统中的发射/接收(T/R)开关,以及射频模块中的信号调节电路。
在无线通信设备中,它常用于控制射频信号路径,例如在多频段或多模式通信系统中切换不同的天线或射频前端组件。在测试设备中,该二极管可用于构建可编程衰减器或开关矩阵,实现对信号路径的精确控制。此外,它也可用于射频功率放大器的偏置控制,实现放大器在不同工作状态之间的切换。
由于其良好的高频性能和高可靠性,该器件在汽车雷达、工业射频设备和便携式通信设备中也得到了广泛应用。
HSMP-381C-TR1G, HSMP-381Y-TR1G, BAR-64-03W