FDS9952 时间：2025/8/24 14:48:54 阅读：6

FDS9952 是由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的一款高性能、双通道、N沟道功率MOSFET芯片，广泛应用于需要高效能功率转换的场合，例如电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。该芯片采用先进的工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合在高频率开关环境下工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：85mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：3.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOIC-8

特性

FDS9952 具备多项显著特性，使其在功率电子设计中表现出色。
　　首先，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。其85mΩ的Rds(on)值在Vgs=10V时表现优异，尤其适合用于同步整流和高效率DC-DC转换器中。
　　其次，FDS9952采用双通道结构，集成了两个独立的N沟道MOSFET，有助于减少PCB面积并提高系统的集成度。这种设计在多相供电系统或H桥电机驱动等应用中非常实用。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性和高电流承载能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。其SOIC-8封装形式具备良好的散热性能，同时兼容表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度布线。
　　FDS9952还具有较强的抗静电能力（ESD）和较高的栅极电压耐受能力（±20V），提高了器件在复杂电磁环境中的可靠性和耐用性。这些特性使其适用于工业控制、通信电源、便携式设备和汽车电子等多种应用场景。

应用

FDS9952 适用于多种功率管理及开关控制应用。在电源设计中，它常用于同步整流型DC-DC转换器，以提高转换效率并降低功耗。其双通道结构也使其适用于多相供电系统、负载开关或电池管理系统中，实现对多个负载的独立控制。
　　在电机控制和H桥驱动电路中，FDS9952可用于驱动小型直流电机或步进电机，提供高效的双向电流控制。由于其具备良好的热稳定性和高耐压能力，也常用于工业自动化设备、智能电表、UPS系统和通信电源模块等对可靠性要求较高的场合。
　　此外，FDS9952还适合用于负载开关电路，例如为便携式设备中的显示屏、摄像头模块或其他外设提供独立的电源控制。其低导通电阻和快速开关特性可有效降低系统功耗，延长电池续航时间。