时间：2025/9/16 9:43:19
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HSMN-C190 是一款由Hyundai（现代）公司生产的MOSFET晶体管，属于高功率、高频率的功率开关器件，适用于电源管理和DC-DC转换等应用。这款器件通常采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能和高可靠性。HSMN-C190 主要用于工业电源、开关电源、逆变器和电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：900V
连续漏极电流(Id)：12A @25°C
导通电阻(Rds(on))：0.35Ω @Vgs=10V
栅极电压(Vgs)：±30V
最大功耗(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220
HSMN-C190 是一款高性能的N沟道MOSFET，具备低导通电阻和高耐压能力。其漏源电压高达900V，适合用于高电压应用场合，如AC-DC电源转换器和电机控制电路中。该器件的导通电阻为0.35Ω，在VGS为10V时能够提供较低的导通损耗，有助于提高系统效率。此外，其连续漏极电流可达12A，适用于中高功率的开关应用。
该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的工作温度范围（-55°C至150°C），可在严苛环境下稳定工作。TO-220封装提供了良好的散热能力，便于在PCB上安装和散热管理。HSMN-C190 的栅极电压承受范围为±30V，使得其在驱动过程中具有较高的抗干扰能力和稳定性。
该器件的高频率响应特性使其适用于开关频率较高的电源设计，例如DC-DC转换器和LED驱动电源。此外，其快速开关能力有助于减少开关损耗并提高系统效率。
HSMN-C190 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、工业电机控制、照明驱动器以及逆变器系统中。其高耐压和低导通电阻特性使其非常适合用于AC-DC整流后端的功率开关电路。此外，该器件还可用于电池管理系统、不间断电源（UPS）和变频器等高可靠性应用场合。
FQA12N90C, 12N90C, FQP12N90C
