时间：2025/9/21 1:51:36
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C5611是一款由ONSEMI（安森美）生产的NPN型双极结型晶体管（BJT），主要用于通用放大和开关应用。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，适合在空间受限的高密度印刷电路板设计中使用。C5611具有良好的电流增益性能和快速开关特性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，因此被广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块、信号切换电路以及消费类电子产品中。该晶体管设计符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。其结构优化了电学性能与热稳定性之间的平衡，使其在多种工作条件下均能保持可靠的性能表现。此外，C5611具备较高的集电极-发射极击穿电压，增强了其在低压电源系统中的适用性。由于其低成本、高性能和小尺寸特点，C5611成为许多基础模拟和数字电路设计中的首选三极管之一。
类型：NPN
材料：硅
封装类型：SOT-23
极性：NPN
最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大发射极-基极电压（VEBO）：6V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（Ptot）：300mW
直流电流增益（hFE）：100 - 400（测试条件IC = 10mA, VCE = 1V）
过渡频率（fT）：100MHz
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
热阻（RθJA）：约417°C/W
C5611晶体管具备优异的直流电流增益（hFE）特性，典型值范围在100至400之间，确保了在不同工作电流下都能实现稳定的放大效果。这种宽泛的增益范围使其适用于需要一致性和可靠性的模拟信号放大电路，如音频前置放大器或传感器信号调理电路。其高过渡频率（fT）达到100MHz，表明该器件在高频开关和射频应用中也具备良好表现，可用于高速数字逻辑驱动或脉冲信号处理。
该器件采用SOT-23封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，极大提升了现代电子产品的小型化水平。其热阻约为417°C/W，在无额外散热措施的情况下仍可在正常环境温度下安全运行。C5611的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为50V，使其适用于5V、12V或24V等常见低压控制系统，如微控制器输出驱动、LED控制、继电器驱动或电源通断控制等场景。
此外，C5611具有较低的饱和压降（VCE(sat)），通常在IC = 10mA时仅为0.25V左右，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其良好的温度稳定性使得在极端环境（如工业设备或汽车电子）中也能维持性能一致性。所有参数均经过严格测试，并符合JEDEC标准，保证批次间的一致性与可替换性。器件还具备一定的抗静电能力，但建议在使用过程中采取常规ESD防护措施以确保可靠性。
C5611广泛应用于各类中小功率电子电路中，尤其适合作为开关元件用于微控制器I/O口的扩展驱动，例如控制LED指示灯、小型继电器、蜂鸣器或其他外围设备。在电源管理系统中，它可用于实现负载开关或电池供电路径控制。此外，由于其良好的线性放大能力，也被用于低频小信号放大电路，如传感器信号放大、音频信号缓冲等场景。
在通信设备中，C5611可用于信号路由切换或电平转换电路。其高频响应能力支持其在数据传输接口中作为有源元件使用。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，常利用其小尺寸和高性能优势进行空间优化设计。工业控制领域中，该晶体管可用于PLC模块中的输入输出接口隔离与驱动。同时，因其符合环保标准且支持回流焊工艺，非常适合大规模自动化生产制造流程。
MMBT3904
2N3904
BC847B
FMMT220
