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BZX79-B10,113 发布时间 时间:2025/9/14 7:57:05 查看 阅读:5

BZX79-B10,113 是一款由 NXP Semiconductors 生产的齐纳二极管(Zener Diode),属于 BZX79 系列。该系列二极管广泛用于电压参考和稳压电路中,提供稳定的反向击穿电压,适用于低功率电子设备中的电压调节和保护应用。

参数

类型:齐纳二极管(Zener Diode)
  功率:300 mW
  击穿电压:10V
  容差:±5%
  电流:5 mA
  封装形式:DO-35
  引线长度:标准引线长度
  工作温度范围:-65°C ~ 150°C

特性

BZX79-B10,113 齐纳二极管具有出色的电压稳定性,能够在宽温度范围内保持恒定的击穿电压,确保电路运行的可靠性。其低动态阻抗特性有助于在负载变化时维持输出电压的稳定性,从而提供精确的电压参考。此外,该器件采用 DO-35 封装,具有良好的热稳定性和机械强度,适合各种电子设备的安装要求。
  该齐纳二极管的额定功耗为 300 mW,在额定电流 5 mA 下工作时,能够提供 10V 的稳定击穿电压。±5% 的容差保证了电压的精确性,适用于对电压精度要求较高的应用场景。此外,其宽工作温度范围(-65°C ~ 150°C)使其适用于恶劣环境条件下的电子系统。

应用

BZX79-B10,113 主要用于低功率稳压电路、电压参考源、过压保护电路以及信号调节电路。该器件常见于消费类电子产品、工业控制系统、测量仪器、电源模块以及各种需要稳定电压的电子系统中。

替代型号

1N4740A-T, BZX55-B10, LM385-10

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BZX79-B10,113参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)10V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200nA @ 7V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大400mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)20 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商设备封装ALF2
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 200°C