时间：2025/7/25 9:05:18
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HSM840G/TR13是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用设计，能够在高电流和高电压条件下工作，具有优异的热稳定性和低导通电阻特性。该MOSFET采用小型表面贴装封装，适用于紧凑型电源设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：12A
导通电阻（RDS(ON)）：32mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP
HSM840G/TR13具有多项优异的电气和热性能，使其适用于各种高效率功率转换应用。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高电源系统的整体效率。该器件的高栅极电压容限（最大20V）确保在各种工作条件下保持稳定运行。此外，HSM840G/TR13采用了ROHM的先进工艺技术，具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，延长系统寿命。
该MOSFET的SOP封装形式不仅节省空间，还简化了PCB布局和制造流程。SOP封装具有良好的焊接可靠性和机械稳定性，适用于自动化贴片工艺。此外，HSM840G/TR13还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高电源系统的动态响应能力。
HSM840G/TR13广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及工业自动化和通信设备中的功率控制电路。其优异的性能也使其适用于高效率适配器、充电器和电源模块的设计。
SiSS14DN,TPC8104,HUF76145P3ST-GE3
