时间：2025/8/1 14:39:47
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CS15N04AEP-G是一款由COSMO SEMICONDUCTOR生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻、高耐压以及快速开关特性，适用于各种高效率电源系统。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：15A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：83W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
CS15N04AEP-G具有低导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其沟槽式结构设计提升了电流承载能力和热稳定性，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
此外，该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高整体系统的功率密度。
其高耐压能力（40V）使其适用于多种DC-DC转换器、同步整流器和负载开关应用。同时，该器件的封装形式（TO-252）提供了良好的散热性能，便于安装和维护。
CS15N04AEP-G还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了器件在恶劣工作环境下的可靠性和稳定性。
CS15N04AEP-G常用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关和电机驱动电路等。其低导通电阻和高效率特性也使其在服务器电源、通信设备、工业控制系统和消费类电子产品中得到广泛应用。
SiSS15N04A-T1-GE3
IPD15N04S11ATMA1
FDS4562
