时间：2025/9/7 1:14:56
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HSM2838CTRF是一款由Vishay Siliconix制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchFET?技术，提供高效率和低导通电阻的特性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等领域。HSM2838CTRF采用紧凑的PowerPAK? SC-70封装，有助于减少PCB空间并提高系统集成度。该MOSFET具有优异的热性能和高电流承载能力，适合在高频率开关应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：6.1A
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：3.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PowerPAK SC-70
HSM2838CTRF具有多个关键特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了Vishay的TrenchFET?技术，使得在相同电压等级下，RDS(on)和封装尺寸均优于同类产品。
此外，HSM2838CTRF的封装设计具备良好的热管理性能，能够在高电流条件下保持较低的温升，从而提高系统的稳定性和可靠性。其高速开关特性使其适用于高频DC-DC转换器、同步整流器等应用。
该MOSFET还具有较强的抗雪崩能力和过热保护功能，确保在极端工作条件下的安全性。封装尺寸小巧，适合便携式电子设备和空间受限的应用场景。HSM2838CTRF符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺，支持环保设计。
HSM2838CTRF广泛应用于多种功率电子系统中。其主要应用包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电源管理单元、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、LED驱动器、便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中的电源开关、以及工业自动化和控制系统中的功率控制部分。
由于其高效率和紧凑封装的特点，该MOSFET特别适合用于需要高功率密度和高效能转换的应用，例如USB PD充电器、移动电源、无线充电模块等。此外，HSM2838CTRF还可用于同步整流电路，以提升电源转换效率并降低功耗。
Si2302DS, AO3400A, FDS6675, BSS138K
