时间：2025/7/1 5:39:16
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1206N120K202CT 是一款表面贴装型的高功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率和高性能需求的电路中。该器件采用 DPAK 封装，具备低导通电阻和高速开关性能的特点，适合在高频条件下工作。
型号：1206N120K202CT
封装：DPAK (TO-252)
最大漏源电压 Vds：120V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：6A
最大脉冲漏极电流 Isp：36A
导通电阻 Rds(on)：0.18Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗 Ptot：64W
结温范围 Tj：-55°C 至 +175°C
栅极电荷 Qg：40nC（典型值）
反向恢复时间 trr：95ns（典型值）
1206N120K202CT 具有以下显著特性：
1. 低导通电阻设计降低了导通损耗，从而提高了系统效率。
2. 高速开关能力，使得该器件适用于高频应用环境。
3. 良好的热性能，能够有效散发热量，确保长时间稳定运行。
4. 较高的最大漏源电压 Vds 和最大连续漏极电流 Id，使其适用于较宽范围的工作条件。
5. 小巧的 DPAK 封装形式便于 PCB 布局和安装。
6. 支持高温操作，具有良好的可靠性和耐用性。
该 MOSFET 可用于多种电力电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（Switching Power Supplies）。
2. DC-DC 转换器。
3. 电机驱动和控制。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 汽车电子中的继电器替代方案。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, AO3400A, FDP5500
