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1206N120K202CT 发布时间 时间:2025/7/1 5:39:16 查看 阅读:8

1206N120K202CT 是一款表面贴装型的高功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率和高性能需求的电路中。该器件采用 DPAK 封装,具备低导通电阻和高速开关性能的特点,适合在高频条件下工作。

参数

型号:1206N120K202CT
  封装:DPAK (TO-252)
  最大漏源电压 Vds:120V
  最大栅源电压 Vgs:±20V
  最大连续漏极电流 Id:6A
  最大脉冲漏极电流 Isp:36A
  导通电阻 Rds(on):0.18Ω(典型值,Vgs=10V)
  总功耗 Ptot:64W
  结温范围 Tj:-55°C 至 +175°C
  栅极电荷 Qg:40nC(典型值)
  反向恢复时间 trr:95ns(典型值)

特性

1206N120K202CT 具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻设计降低了导通损耗,从而提高了系统效率。
  2. 高速开关能力,使得该器件适用于高频应用环境。
  3. 良好的热性能,能够有效散发热量,确保长时间稳定运行。
  4. 较高的最大漏源电压 Vds 和最大连续漏极电流 Id,使其适用于较宽范围的工作条件。
  5. 小巧的 DPAK 封装形式便于 PCB 布局和安装。
  6. 支持高温操作,具有良好的可靠性和耐用性。

应用

该 MOSFET 可用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies)。
  2. DC-DC 转换器。
  3. 电机驱动和控制。
  4. 电池管理系统中的负载开关。
  5. 汽车电子中的继电器替代方案。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRFZ44N, AO3400A, FDP5500

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1206N120K202CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.32599卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定2000V(2kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-