工作电压：6.8 V
　　反向关断电压：6.8 V
　　钳位电压：12.1 V @ 1.75 A
　　最大反向漏电流：0.1 μA
　　响应时间：1.0 ps
　　峰值脉冲电流：1.75 A (8/20μs波形)
　　功率耗散：300 W
　　封装形式：SOD-882

HSM276S8TL是一种高性能的TVS二极管，专为保护低电压电子设备而设计。该器件在正常工作条件下表现出极低的漏电流，确保不会干扰系统的正常运行。其响应时间极短，能够在纳秒级内对瞬态电压事件做出反应，从而有效钳制电压并保护后级电路。此外，该器件具有较高的能量吸收能力，能够承受多次高能量瞬态事件而不失效。HSM276S8TL的SOD-882封装形式不仅节省空间，而且便于自动贴片和回流焊工艺，适用于大批量生产。
　　HSM276S8TL的另一个显著特点是其在高频应用中的稳定性。由于其低结电容（通常小于1 pF），它适用于高速数据线和射频（RF）线路的保护，不会对信号完整性造成显著影响。此外，该TVS器件具有良好的热稳定性和机械强度，能够在恶劣的环境条件下可靠运行。HSM276S8TL的这些特性使其成为现代电子系统中不可或缺的保护元件。

HSM276S8TL广泛应用于多种电子设备中，用于保护电源线路、数据通信接口（如USB、HDMI、RS-485）、射频天线、传感器和微控制器单元（MCU）等关键电路。它常用于工业自动化设备、便携式电子产品、网络设备、汽车电子系统和消费类电子产品的电路保护设计中。在USB 2.0和3.0接口中，HSM276S8TL可有效防止ESD事件对数据传输线路的损害。此外，该器件也适用于保护电池管理系统（BMS）中的敏感电子元件，确保系统在高电压瞬态事件下的稳定性。

PESD5V0S1BA; SMBJ5.0CA; ESD9B5.0ST5G