时间：2025/8/8 17:52:02
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FMA08N60G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压、中等电流的功率转换和开关应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有良好的热稳定性和可靠性。其600V的漏源击穿电压（VDS）使其适用于多种中高压电源系统，如电源适配器、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及工业电机控制等应用。FMA08N60G采用TO-220封装形式，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
最大连续漏极电流（ID）：8A（在25°C）
最大功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
导通电阻（RDS(on)）：0.8Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：35nC
输入电容（Ciss）：1100pF
封装类型：TO-220
FMA08N60G具备一系列优异的电气和物理特性，使其在中高压功率应用中表现出色。首先，其高达600V的漏源击穿电压（VDS）使其适用于大多数中压电源系统，如AC/DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。
其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为8A，在25°C环境温度下可提供较高的功率处理能力，适合用于中等功率开关电路。导通电阻RDS(on)的典型值为0.8Ω，这一参数在同级别MOSFET中属于较低水平，有助于降低导通损耗并提高能效。
此外，FMA08N60G的栅极电荷（Qg）为35nC，属于中等水平，使其在高频开关应用中具备较好的响应能力，同时不会对驱动电路造成过大的负担。输入电容（Ciss）为1100pF，有助于减少高频下的动态损耗，提高整体效率。
该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，便于安装在标准散热片上，适用于多种工业级应用环境。其最大功耗为125W，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行，确保系统长期工作的可靠性。
另外，FMA08N60G具有良好的热稳定性，可在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境，如工业控制、电源管理及电机驱动等应用场景。
FMA08N60G广泛应用于各类中高压功率电子系统中。其主要应用领域包括开关电源（SMPS）、电源适配器、LED照明驱动器、DC-DC转换器以及电机控制电路等。在PFC（功率因数校正）电路中，FMA08N60G可作为主开关元件，提高系统的功率因数和能效。此外，它还可用于工业自动化控制、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及各种中高压电源模块的设计中。由于其良好的热稳定性和低导通电阻，FMA08N60G在高效率和高可靠性要求的电源系统中尤为受欢迎。
FQA08N60C, FCP08N60S3, STP8NK60Z
