时间：2025/9/7 14:03:15
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HSE277TRF 是一款由 ROHM（罗姆）公司制造的 P 沟道功率 MOSFET，广泛用于高侧开关、电源管理和负载切换等应用。这款器件采用小型封装设计，具有出色的热性能和低导通电阻的特点，适合在紧凑型电源系统中使用。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：-30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-4.4A
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-223
HSE277TRF 的低导通电阻特性使其在高电流应用中表现出色，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。其 30V 的漏源电压额定值适用于各种低压电源管理场景，包括电池供电设备和直流电源系统。此外，SOT-223 封装提供了良好的热管理能力，使得器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该 MOSFET 具有良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，从而提高整体能效。它还具备较高的抗静电能力，能够在一定程度上抵御静电放电（ESD）对器件的损害，增强系统的可靠性。
在热性能方面，HSE277TRF 的 SOT-223 封装设计允许其在较高的环境温度下工作，而不影响电气性能。这使得它非常适合用于对空间和热管理要求较高的电子产品设计中。
HSE277TRF 主要用于负载开关、电源管理系统、电池充电器、DC-DC 转换器、电机控制以及各种需要高侧开关的场合。它也常用于便携式电子设备、工业自动化设备和通信设备中，以实现高效的功率管理。此外，该器件还可用于汽车电子系统，如车载充电器、照明控制系统等。
Si4435BDY, IRML2803, FDC6303
