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HSE277TRF 发布时间 时间:2025/9/7 14:03:15 查看 阅读:5

HSE277TRF 是一款由 ROHM(罗姆)公司制造的 P 沟道功率 MOSFET,广泛用于高侧开关、电源管理和负载切换等应用。这款器件采用小型封装设计,具有出色的热性能和低导通电阻的特点,适合在紧凑型电源系统中使用。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):-30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):-4.4A
  导通电阻(Rds(on)):55mΩ(典型值)
  功率耗散(Pd):1.5W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-223

特性

HSE277TRF 的低导通电阻特性使其在高电流应用中表现出色,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。其 30V 的漏源电压额定值适用于各种低压电源管理场景,包括电池供电设备和直流电源系统。此外,SOT-223 封装提供了良好的热管理能力,使得器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  该 MOSFET 具有良好的栅极电荷特性,有助于降低开关损耗,从而提高整体能效。它还具备较高的抗静电能力,能够在一定程度上抵御静电放电(ESD)对器件的损害,增强系统的可靠性。
  在热性能方面,HSE277TRF 的 SOT-223 封装设计允许其在较高的环境温度下工作,而不影响电气性能。这使得它非常适合用于对空间和热管理要求较高的电子产品设计中。

应用

HSE277TRF 主要用于负载开关、电源管理系统、电池充电器、DC-DC 转换器、电机控制以及各种需要高侧开关的场合。它也常用于便携式电子设备、工业自动化设备和通信设备中,以实现高效的功率管理。此外,该器件还可用于汽车电子系统,如车载充电器、照明控制系统等。

替代型号

Si4435BDY, IRML2803, FDC6303

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