RPT83FQ 时间：2025/4/30 18:03:41 阅读：6

RPT83FQ是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。
　　这款MOSFET通常用于需要高效率和快速响应的应用中，例如消费电子设备、工业控制和汽车电子系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压Vds：80V
　　最大栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id：34A
　　导通电阻Rds(on)：1.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　总功耗Ptot：170W
　　结温范围Tj：-55℃至+175℃

特性

RPT83FQ具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高开关速度，支持高频应用，减少开关损耗。
　　3. 出色的热性能，能够在较高的结温范围内稳定工作。
　　4. 符合RoHS标准，环保设计。
　　5. 提供卓越的抗雪崩能力，确保在异常情况下依然可靠。
　　6. 小型化封装，节省PCB空间。

应用

RPT83FQ适用于以下应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的功率级开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率输出级。
　　4. 汽车电子系统中的负载切换。
　　5. 各类保护电路，如过流保护和短路保护。
　　6. 消费电子产品中的高效功率管理模块。