HS5507F-R 是一款由 Renesas(瑞萨电子)推出的高性能、低功耗的 CMOS 工艺制造的射频(RF)功率放大器(PA)模块,广泛应用于无线通信系统中。该模块设计用于支持多种无线通信标准,如 LTE、WCDMA 和 GSM,适用于基站、中继器和无线基础设施设备。HS5507F-R 采用了高效的 GaAs(砷化镓)功率放大器技术,提供了优异的输出功率、效率和线性度,能够在高频段下稳定工作。
工作频率范围:2.3 GHz - 2.7 GHz
输出功率:典型值为 37 dBm(5 W)
增益:典型值为 30 dB
效率(PAE):典型值为 40%
工作电压:+5 V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:表面贴装(SMD)
输入/输出阻抗:50 Ω
HS5507F-R 具备多项先进的技术特性,使其在高性能无线通信系统中表现出色。首先,其宽频工作范围(2.3 GHz 至 2.7 GHz)支持多种无线标准的应用,包括 LTE、WCDMA 和 GSM。这使得该模块在多种通信设备中具有高度的兼容性和灵活性。
其次,HS5507F-R 提供高达 37 dBm(5 W)的输出功率,并具有 30 dB 的高增益,确保信号能够有效放大并传输至天线端。这对于需要远距离传输和高信号质量的无线通信系统尤为重要。
HS5507F-R 采用+5 V 单电源供电,简化了电源管理设计,同时其表面贴装封装(SMD)便于自动化生产和集成到高密度 PCB 设计中。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于各种恶劣环境条件下的应用,如户外基站和工业级通信设备。
该模块的输入和输出阻抗为 50 Ω,符合大多数射频系统的标准阻抗匹配要求,减少了信号反射和损耗,提高了系统的整体性能。
HS5507F-R 主要用于无线通信基础设施领域,如小型基站(Small Cell)、分布式天线系统(DAS)、中继器(Repeater)和无线接入点(Access Point)等设备中。它特别适合需要高线性度、高输出功率和高效率的射频功率放大应用场景。
在 LTE 和 WCDMA 系统中,HS5507F-R 可用于用户终端或基站设备中的射频前端模块,负责将调制后的射频信号进行功率放大后发送至天线。其高线性度特性能够有效减少信号失真,提高通信质量和数据传输速率。
此外,该模块也可用于测试设备、频谱分析仪和无线监控系统等工业和科研领域,提供稳定可靠的射频功率放大功能。其宽频带特性使其能够适应多种频率配置,提高了设备的通用性和灵活性。
由于其紧凑的封装和低功耗设计,HS5507F-R 也非常适合用于便携式和移动通信设备中,如移动热点、车载通信终端和无人机通信模块等。这些设备对功耗和体积都有严格要求,而 HS5507F-R 能够在有限的空间和电源条件下提供高效的射频功率放大能力。
HMC635MS16E, ADRF5545A