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HRTXAH008 发布时间 时间:2025/5/9 18:04:33 查看 阅读:5

HRTXAH008是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  其封装形式为TO-220,这种封装方式提供了良好的散热性能,非常适合功率应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

HRTXAH008具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,提升整体能效。
  2. 高额定电流能力,支持大功率应用需求。
  3. 快速开关特性,适合高频操作环境。
  4. 良好的热稳定性,在高温条件下依然保持优异性能。
  5. 具备较强的抗雪崩能力,增强了系统的可靠性和耐用性。

应用

该型号的MOSFET适用于多种电子电路中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 直流电机驱动器中的功率级组件。
  3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  4. 各种负载切换和保护电路设计。
  5. 工业控制设备中的功率管理部分。

替代型号

HRTXAH009, IRFZ44N, STP30NF06

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