时间：2025/7/10 1:10:51
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HRT60N08D是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和其他功率管理应用。
这款MOSFET以其出色的性能在工业和消费电子领域中广泛应用，同时具备快速的开关速度和良好的热稳定性。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：60A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：45nC
总功耗：130W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
HRT60N08D拥有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高频开关应用中能够减少传导损耗并提高效率。
此外，它的高电流承载能力和耐高温特性使其非常适合大功率场合。
器件还具有较低的栅极电荷，有助于实现更快的开关速度和降低开关损耗。
由于其坚固的设计和可靠性，它在恶劣环境下也能保持稳定的性能表现。
HRT60N08D广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电动工具中的电机控制
4. 太阳能逆变器
5. 各种负载切换电路
6. 工业自动化系统中的功率调节模块
该MOSFET凭借其卓越的性能指标，在需要高效能量转换或功率控制的应用中表现出色。
IRFZ44N
STP60NF06
FDP60N06L
