TLE2141QDRQ1是一款由英飞凌(Infineon)生产的高压侧开关驱动器芯片,专为汽车和工业应用设计。该器件能够驱动N沟道MOSFET或IGBT,并支持高达600V的电压隔离。其主要特点是具有快速的开关速度、低传播延迟以及出色的电磁兼容性(EMC)。此外,它还集成了多种保护功能,例如过流保护、欠压锁定(UVLO)和热关断,确保系统的可靠性和安全性。
供电电压:5V至20V
最大输出电流:±4A
隔离电压:600V
工作温度范围:-40°C至150°C
传播延迟:30ns(典型值)
封装形式:SOIC-8
TLE2141QDRQ1的主要特性包括:
1. 高达600V的电气隔离能力,适用于高电压环境。
2. 内置电荷泵,可为N沟道MOSFET提供稳定的栅极驱动电压。
3. 快速开关性能,适合高频应用。
4. 提供短路保护、过温保护和欠压锁定功能,增强系统可靠性。
5. 符合AEC-Q100标准,确保在严苛环境下长期稳定运行。
6. 支持宽输入电压范围,适应多种电源条件。
7. 工作温度范围广,可在极端温度条件下正常运行。
8. 封装紧凑,便于PCB布局设计。
TLE2141QDRQ1广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子系统,如电机控制、电动助力转向(EPS)、制动系统和变速器控制单元(TCU)。
2. 工业自动化设备中的功率转换电路和驱动器模块。
3. 太阳能逆变器和风力发电系统的功率级驱动。
4. LED照明驱动电路。
5. 各种需要高压隔离驱动的应用场景。
TLE2141GDRQ1
TLE2141QDRL
TLE2141GDRL