HPM2305AC-TR 是一款基于硅锗 (SiGe) 工艺设计的高性能低噪声放大器 (LNA),专为无线通信、射频接收机以及其他高频应用而优化。其工作频率范围为 18 至 40 GHz,具有卓越的增益性能和低噪声系数特性,能够有效提升系统的灵敏度和动态范围。该芯片采用紧凑型封装形式,适合于小型化和高密度集成的设计需求。
型号:HPM2305AC-TR
工艺技术:SiGe
工作频率范围:18 GHz - 40 GHz
增益:20 dB(典型值)
噪声系数:2.5 dB(典型值)
输入回波损耗:-10 dB(最小值)
输出回波损耗:-10 dB(最小值)
电源电压:+3.3V
静态电流:75 mA(典型值)
封装形式:SOT-89-5
HPM2305AC-TR 具备以下关键特性:
1. 高增益性能,在整个工作频率范围内提供稳定的 20 dB 增益。
2. 极低的噪声系数,确保信号传输过程中失真最小化。
3. 出色的输入和输出回波损耗表现,减少不必要的反射干扰。
4. 支持宽广的工作频率范围,适应多种高频应用场景。
5. 小型化的 SOT-89-5 封装设计,便于 PCB 布局和系统集成。
6. 简单的供电要求,仅需单一 +3.3V 电源即可运行。
7. 在高温环境下仍能保持稳定的工作性能,适用于恶劣环境条件下的应用。
HPM2305AC-TR 广泛应用于以下领域:
1. 无线通信系统中的射频前端模块。
2. 微波点对点链路设备的接收机部分。
3. 卫星通信终端和地面站设备。
4. 雷达系统及电子对抗装置。
5. 测试测量仪器中的高频信号放大。
6. 医疗成像设备及其他需要高精度信号放大的场合。
HMC781LP4E, ATF-54143