HN6248NFBM10是一款由Renesas(瑞萨电子)推出的高性能、低功耗静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于HN62系列。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于需要快速数据存取和稳定性能的电子设备。HN62448NFBM10的容量为48Kbit(6K × 8位),采用55引脚TSOP(薄型小外形封装)封装形式,适用于便携式设备和高密度电路设计。
容量:48Kbit(6K × 8位)
电压范围:2.3V 至 3.6V
访问时间:10ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:55引脚TSOP
封装尺寸:约8.0mm × 14.0mm
输入/输出接口:TTL兼容
最大功耗:55mA(典型值)
待机电流:10mA(典型值)
时钟频率:无内部时钟,异步操作
HN62448NFBM10 SRAM芯片具备多项显著特性,适用于高性能嵌入式系统和工业控制设备。首先,其高速访问时间为10ns,确保了在高频操作下的快速数据读写能力,适用于实时数据处理和缓存应用。芯片采用低功耗CMOS工艺,在待机模式下电流仅为10mA,有助于延长便携设备的电池寿命。
该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),适应不同电源设计需求,提高系统设计的灵活性。同时,其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境,确保在极端温度下的稳定运行。
HN62448NFBM10采用55引脚TSOP封装,封装尺寸小,适合高密度PCB布局,减少空间占用。其TTL兼容输入/输出接口,方便与多种控制器和处理器连接,提升系统兼容性。此外,芯片支持异步操作,无需外部时钟信号,简化了时序控制和电路设计。
该SRAM芯片具有高可靠性和长寿命,适用于需要长时间稳定运行的工业控制、通信设备、测试仪器和消费类电子产品。同时,Renesas提供完整的技术支持和数据手册,方便工程师进行选型和调试。
HN62448NFBM10 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存取和低功耗特性的电子系统中。主要应用领域包括工业控制设备,如PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机和自动化控制系统,用于临时存储关键数据和程序。在通信设备中,如路由器、交换机和无线基站,HN62448NFBM10可用于缓存数据和提高系统响应速度。
该芯片也适用于嵌入式系统和便携式设备,如智能仪表、医疗设备和测试仪器,满足低功耗和高速访问的需求。此外,HN62448NFBM10还可用于消费电子产品,如数字电视、机顶盒和游戏设备,作为临时存储器以提升系统性能。
由于其宽电压范围和工业级温度特性,HN62448NFBM10也适用于汽车电子系统,如车载导航、车身控制模块和传感器节点。在这些应用中,芯片能够提供稳定的数据存储能力,并适应复杂的工作环境。
IS62WV5128ALLB4A1U, CY7C1041CV33, IDT71V416SA, AS7C34098A