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HN624116FBCG8 发布时间 时间:2025/9/6 20:38:32 查看 阅读:5

HN624116FBCG8 是一款由 Renesas(瑞萨电子)公司推出的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于异步SRAM类别,广泛应用于需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。HN624116FBCG8 提供了16位的数据总线宽度,容量为256Kbit(16K x 16),采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问的特性。

参数

容量:256Kbit (16K x 16)
  组织结构:16位数据总线
  访问时间:10 ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:54引脚 TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装尺寸:54-TSOP
  接口类型:并行异步接口

特性

HN624116FBCG8 SRAM芯片具备多项显著特性。其高速访问时间为10 ns,适用于对时间敏感的应用场景。芯片采用低功耗CMOS工艺,在保持高性能的同时有效降低能耗。此外,该芯片支持宽温度范围运行(-40°C 至 +85°C),适合在工业环境和恶劣条件下使用。异步接口设计使得芯片可以灵活地与各种主控设备进行连接,而无需依赖时钟信号,简化了电路设计。同时,HN624116FBCG8 的TSOP封装形式不仅提供了良好的散热性能,还支持高密度PCB布局。
  该SRAM芯片内置了多种保护机制,例如自动省电模式,以延长设备在待机状态下的使用寿命。此外,其输入/输出引脚具有静电放电(ESD)保护功能,增强了芯片在复杂电磁环境中的稳定性。HN624116FBCG8 通过了严格的工业标准认证,确保在关键任务系统中的可靠性和一致性。

应用

HN624116FBCG8 主要应用于需要高速数据缓存和临时存储的场景,例如工业自动化控制器、通信模块、网络交换设备、测试测量仪器以及嵌入式系统中的数据缓冲区。此外,该芯片也常用于需要实时数据处理的汽车电子系统和医疗设备中。由于其高速读写能力和稳定的性能,HN624116FBCG8 也适用于图形处理、图像缓存和高速数据采集系统等对性能要求较高的领域。

替代型号

ISSI IS61WV25616BLL-10BLLI, Cypress CY62148E, Renesas HN624116FBCG8 的替代型号还包括 Alliance AS7C25616A-10BC 和 Micron A2V2D16A2A1H

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