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HN58X24128FPI 发布时间 时间:2025/9/7 12:02:48 查看 阅读:5

HN58X24128FPI是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的128K位(16K x 8)CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高速CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问时间的特点,适用于需要高性能和低功耗存储解决方案的应用场景。HN58X24128FPI采用55ns的访问时间,工作电压为5V,适用于工业标准的异步SRAM应用。

参数

容量:128K位(16K x 8)
  电压:5V
  访问时间:55ns
  封装:48引脚TSOP
  接口类型:异步
  工作温度:-40°C至+85°C
  数据宽度:8位
  封装类型:TSOP
  功耗:典型值1.5W
  输出类型:三态

特性

HN58X24128FPI具备高速访问能力,其55ns的访问时间可满足大多数实时系统对数据存取速度的要求。该芯片采用CMOS工艺制造,确保了低功耗操作,适用于对功耗敏感的应用环境。
  此外,HN58X24128FPI支持宽温度范围(-40°C至+85°C),使其适用于工业级和汽车电子应用。该芯片的三态输出和异步控制信号使其易于集成到各种系统架构中。
  在可靠性方面,HN58X24128FPI具备高抗干扰能力和稳定的读写性能,支持CE(片选)、OE(输出使能)和WE(写使能)等控制信号,确保精确的数据读写控制。
  封装方面,HN58X24128FPI采用48引脚TSOP封装,具有良好的散热性能和空间利用率,适合高密度电路设计。

应用

HN58X24128FPI广泛应用于嵌入式系统、工业控制器、通信设备、网络路由器、测试仪器和汽车电子系统中。作为高速缓存或数据缓冲器,它可以提升系统的响应速度和数据处理能力。
  例如,在工业自动化系统中,HN58X24128FPI可作为主控单元的临时数据存储器,用于缓存传感器数据或执行程序指令。
  在通信设备中,该芯片可作为数据缓冲器,用于暂存传输或接收的数据包,确保数据流的稳定性和连续性。
  此外,HN58X24128FPI还可用于图形控制器、智能仪表和便携式仪器等应用,提供快速、可靠的数据存储支持。

替代型号

CY62167EVLL-55ZSXI, IS61LV10248ALLB55, IDT71V416S55BGI

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