工作电压：3.3V
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　存储器接口：SRAM
　　最大访问时间：35ns
　　封装类型：TQFP
　　引脚数：100
　　输入/输出电平：LVTTL/TTL兼容
　　控制信号：支持CE（片选）、OE（输出使能）、WE（写使能）等

高速性能：HN58V257FP-35 提供最大35ns的访问时间，适用于需要快速数据读写的应用。该控制器支持LVTTL/TTL电平输入输出，确保与多种数字系统的兼容性。器件采用100引脚TQFP封装，具有良好的散热性能和空间利用率。其工作电压为3.3V，功耗较低，适合对能耗敏感的设计。此外，HN58V257FP-35支持常见的SRAM控制信号，如CE（片选）、OE（输出使能）和WE（写使能），简化了与外部存储器的连接和控制逻辑设计。该芯片还具备宽温度范围（0°C至70°C），适用于工业环境中的稳定运行。
　　集成度高：HN58V257FP-35 内部集成了地址锁存、数据缓冲以及控制逻辑，能够有效地管理SRAM的数据存取过程。这种集成化设计减少了外围电路的复杂性，提高了系统的可靠性。同时，该控制器具备自动刷新功能，有助于保持SRAM的数据完整性。此外，其设计支持多种SRAM配置，使用户能够灵活选择不同容量和组织形式的SRAM模块，满足不同应用需求。

HN58V257FP-35 主要应用于需要高速SRAM控制的嵌入式系统和工业设备中。例如，在工业自动化控制中，该芯片可用于管理高速缓存数据，提高处理效率。在通信设备中，它能够支持快速数据交换和缓冲，确保系统实时性。此外，HN58V257FP-35 也适用于测试仪器、网络设备、图像处理系统等领域，为这些设备提供稳定可靠的SRAM控制解决方案。

HN58V257FP-40, HN58V257FP-55, IDT71V416