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CBR06C908C1GAC 发布时间 时间:2025/6/27 8:05:34 查看 阅读:8

CBR06C908C1GAC 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料的肖特基二极管,专为高频和高效应用设计。它具有低正向压降、快速恢复时间和高浪涌电流能力等特点,适用于功率转换器、开关电源和电机驱动等场景。
  该器件采用 TO-247 封装形式,能够提供出色的散热性能,并且在高温环境下仍能保持稳定运行。

参数

型号:CBR06C908C1GAC
  类型:肖特基二极管
  材料:碳化硅(SiC)
  最大正向电压:1.35 V
  反向恢复时间:25 ns
  最大反向电压:900 V
  额定正向电流:6 A
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55 ℃ 至 +175 ℃

特性

CBR06C908C1GAC 的主要特点是其采用了先进的碳化硅技术,相比传统的硅基肖特基二极管,具备更低的导通损耗和更高的效率。其快速恢复时间确保了在高频开关应用中的卓越表现,同时较低的漏电流使得其在高电压条件下仍然具有良好的稳定性。
  此外,该器件的高浪涌电流能力和宽广的工作温度范围使其非常适合于严苛环境下的功率电子设备。通过减少能量损失并提高系统效率,CBR06C908C1GAC 成为了现代电力电子设计的理想选择。

应用

CBR06C908C1GAC 主要应用于需要高效能量转换和高频操作的领域,例如太阳能逆变器、电动汽车充电站、不间断电源(UPS)、开关模式电源(SMPS)以及工业电机驱动器等。
  在这些应用场景中,CBR06C908C1GAC 的高性能特点可以显著降低系统的热耗散需求,从而简化散热设计并提升整体可靠性。

替代型号

CBR06C1200C1GAC, CBR10C908C1GAC

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CBR06C908C1GAC参数

  • 数据列表CBR06C908C1GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容0.90pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±0.25pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.034"(0.87mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-