类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：256K位（32K x 8）
　　供电电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：20ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：52
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　读取电流（最大）：160mA
　　待机电流（最大）：10mA
　　数据保持电流：10μA（典型）
　　封装尺寸：根据具体封装形式而定

HN58C257T-20 SRAM芯片具有多项显著特性，适用于对性能和可靠性有较高要求的应用场景。其主要特点之一是高速访问时间，仅为20ns，能够满足对数据访问速度要求较高的系统需求。芯片的供电电压范围为2.3V至3.6V，使其能够在不同电压环境下稳定运行，并且支持低功耗模式，从而延长电池寿命，适用于便携式设备和低功耗系统。
　　该芯片支持异步操作，不需要时钟信号即可进行数据的读写操作，简化了控制逻辑，提高了系统的灵活性。在待机模式下，HN58C257T-20的电流消耗极低，最大仅为10mA，而在数据保持模式下更是低至10μA，显著降低了整体功耗。此外，该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。
　　HN58C257T-20的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），可在严苛环境中稳定运行，适用于工业控制、自动化设备、车载电子系统等对环境适应性要求较高的场景。该芯片的高可靠性和耐用性使其成为嵌入式系统、网络设备和通信模块的理想选择。

HN58C257T-20广泛应用于需要高速、低功耗存储器的电子系统中。常见的应用包括工业控制设备、嵌入式系统、通信模块、网络设备（如路由器和交换机）、测试测量仪器以及便携式电子产品。由于其异步SRAM的特性，HN58C257T-20特别适合用作缓存存储器或临时数据存储单元。例如，在工业自动化系统中，它可以用于高速数据缓冲和实时数据处理；在通信设备中，可用于存储临时通信数据或协议信息；在消费类电子产品中，则可作为微控制器的外部存储扩展，提高系统性能和响应速度。

IS61C256ALB45BLL、CY62148EAVTA1、AS6C62256C-SL、IDT71V416SA、TC55V257BFT