HY5PS561621B 时间：2025/9/2 20:32:50 阅读：6

HY5PS561621B是一款由SK Hynix（现为SK hynix）生产的高性能、低功耗的DRAM芯片，属于移动DRAM（Mobile RAM）类别，主要用于移动设备和嵌入式系统中提供快速的数据存储和访问。该型号通常用于智能手机、平板电脑以及需要高带宽内存的便携式设备中。

参数

类型：DRAM
　　容量：256MB / 512MB / 1GB（根据具体版本）
　　数据宽度：16位
　　工作电压：1.8V（核心电压）
　　接口类型：并行接口
　　封装形式：TSOP（Thin Small-Outline Package）
　　时钟频率：最高可达200MHz
　　数据传输速率：400Mbps（双倍数据速率）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

HY5PS561621B具有低功耗设计，适用于电池供电的移动设备，能够在高性能模式和低功耗模式之间切换，以满足不同应用场景的需求。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，以保持数据的完整性，同时减少外部控制器的负担。其采用的移动DDR（mDDR）技术使得数据传输速率较高，同时保持较低的功耗。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在广泛的温度范围内可靠工作，适合在复杂环境条件下使用。
　　HY5PS561621B的TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用，提高集成度，适用于空间受限的便携式设备设计。该芯片的16位数据总线结构提供了较高的带宽，适用于需要快速访问内存的应用，如图形处理、视频播放和多任务处理等场景。其双倍数据速率（DDR）技术使得每个时钟周期可以传输两次数据，从而显著提高了内存带宽效率。

应用

HY5PS561621B广泛应用于各类移动设备和嵌入式系统中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、数码相机、便携式游戏机以及工业控制设备等。其低功耗与高性能的结合使其成为对电池寿命和处理能力都有一定要求的电子产品中的理想选择。该芯片也可用于需要临时数据存储和快速访问的场景，如缓存、帧缓冲、系统内存等用途。