时间：2025/9/7 10:33:50
阅读：7
HN58C256AFP-10E 是由 Renesas（原 IDT）推出的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为 256Kbit，采用 55nm 工艺制造，适用于需要高性能和低功耗的应用场景。
容量：256Kbit
组织方式：32K x 8
电压范围：2.3V - 3.6V
访问时间：10ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
该芯片具备高速访问能力，访问时间仅为 10ns，适用于对时间要求严格的系统设计。
支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），增强了在不同电源环境下的兼容性。
低功耗模式使其在待机状态下功耗极低，适合对功耗敏感的应用场景。
该芯片采用 CMOS 技术，具有高抗干扰性和稳定性。
内置自动低功耗模式（Auto Standby），可进一步降低能耗。
具备 TTL 和 CMOS 兼容的输入/输出接口，简化了与多种控制器的连接。
HN58C256AFP-10E 广泛应用于工业自动化控制系统、网络设备、通信模块、测试仪器以及嵌入式系统中，作为高速数据缓存或程序存储器使用。
适用于需要快速数据访问和稳定存储的场合，如路由器、交换机、工业控制设备等。
也可用于医疗设备、汽车电子系统等对可靠性和性能要求较高的领域。
IS62C256AL-10TI、CY62148E-10ZSXI、M28C256-10FE4TP、HN58C256AFC-10E
