容量：64KB (8K x 8)
　　组织方式：x8
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：15ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　读取电流（最大）：250mA
　　待机电流（最大）：10mA

HN58064P-15 的核心特性之一是其高速访问能力，15ns 的存取时间使其能够满足对实时性要求较高的系统需求。该器件支持异步操作，这意味着它不需要时钟信号来控制读写操作，而是通过地址和控制信号的变化进行响应，这种设计简化了接口电路并降低了系统复杂性。
　　此外，HN58064P-15 采用了低功耗CMOS工艺制造，在待机模式下仅消耗极低的电流（最大10mA），非常适合对功耗敏感的应用场景。其工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），能够兼容多种电源管理系统，并增强了在不同环境条件下的稳定性。　　该SRAM器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境条件，广泛用于工业控制、通信设备、汽车电子、测试仪器等领域。

HN58064P-15 适用于多种高性能嵌入式系统的存储需求。常见应用包括工业控制设备中的高速缓存和临时数据存储、通信模块中的协议处理和数据缓冲、汽车电子系统中的实时数据处理单元，以及测试测量设备中的波形存储和分析等场景。此外，由于其低功耗和宽电压特性，HN58064P-15 也适合用于手持设备、便携式仪表以及需要长期运行的嵌入式控制系统中。

IS61LV6416-15BLLI-TR, CY62148EAV25-45ZE3C, IDT71V416S15PFGI, AS6C6264-15SIN-B