容量：64Kbit
　　组织结构：16,384 x 4位
　　工艺技术：NMOS
　　封装类型：16引脚DIP/PDIP
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间（Access Time）：通常为150ns或200ns可选
　　刷新周期：64ms
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C）
　　数据输出：三态输出
　　接口电平：TTL兼容

HN4264VG具有以下几个显著的技术和应用特性：
　　首先，作为64Kbit容量的DRAM芯片，HN4264VG在当时属于高密度存储解决方案。它采用16,384 x 4位的组织结构，意味着每个地址对应4位的数据宽度，通常需要四片HN4264VG芯片组合使用，以构成16位或32位宽的数据总线，满足计算机系统的内存需求。这种组织方式在当时的设计中非常常见，便于扩展和管理。
　　其次，HN4264VG基于NMOS工艺制造，具备较低的功耗和较高的集成度。虽然与后来的CMOS工艺相比功耗略高，但在当时的技术条件下，其性能表现稳定，可靠性高，广泛用于早期的微机系统和嵌入式设备中。
　　再次，HN4264VG的工作电压为标准+5V，符合TTL电平标准，与当时主流的微处理器（如Intel 8088、Zilog Z80等）兼容，便于系统集成。其三态输出设计允许在多片并联使用时有效控制总线冲突，提高了系统的稳定性和扩展性。
　　此外，HN4264VG具有标准的16引脚DIP封装形式，便于插拔和更换，适用于原型设计、教学实验和工业维修等领域。其较长的生命周期和广泛的市场应用也使其成为电子工程师熟悉的经典存储芯片之一。
　　最后，HN4264VG需要定期刷新操作以保持数据完整性，刷新周期通常为64ms。这一特性是DRAM的共性，要求系统中必须配备相应的刷新控制逻辑，增加了设计复杂度但降低了存储成本。

HN4264VG主要应用于早期的计算机系统和嵌入式设备中，特别是在个人计算机（PC）和小型工业控制系统中扮演重要角色。由于其64Kbit的存储容量和4位数据宽度的组织结构，HN4264VG常用于构建早期的微型计算机内存模块，如IBM PC XT、Apple II系列及其他兼容机的主存储器。在这些系统中，通常需要多个HN4264VG芯片并联使用，以形成16位或32位数据宽度，满足处理器的内存访问需求。
　　此外，HN4264VG也广泛应用于各种工业控制板、数据采集系统、通信设备和教育实验平台中。其标准化的封装形式和TTL兼容接口使其易于集成到各种电路系统中，尤其是在需要中等容量RAM但对成本敏感的应用场合。
　　在教学和科研领域，HN4264VG因其结构简单、接口清晰而成为电子工程和计算机科学教学中的常用实验芯片。许多高校和培训机构使用HN4264VG进行存储器原理、总线接口设计和计算机体系结构的教学演示。
　　尽管HN4264VG已经逐渐被更现代的DRAM芯片（如1Mbit、4Mbit及以上的DRAM）所取代，但由于其在历史上的广泛应用，目前在一些老旧设备的维护和复古计算机收藏市场中仍有使用需求。

HM6264LP, CY6264, IDT7164SA, AS6C6264