APT10M19SVR 是一款由 Microchip Technology(微芯科技)生产的功率 MOSFET 晶体管。这款器件主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中,例如开关电源、直流-直流转换器以及电机控制电路等。APT10M19SVR 属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力的特点。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds):100V
最大栅源电压 (Vgs):±20V
最大连续漏极电流 (Id):19A
导通电阻 (Rds(on)):0.035Ω(典型值)
功耗 (Ptot):130W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220
APT10M19SVR 的主要特性之一是其较低的导通电阻 (Rds(on)),这使得器件在工作时能够减少功率损耗并提高效率。该器件的导通电阻在 10V 栅极驱动电压下仅为 0.035Ω,确保了在高电流条件下依然保持较低的电压降。
其次,APT10M19SVR 支持高达 19A 的连续漏极电流,适合用于高功率密度的设计。该器件的峰值电流能力也较高,能够应对瞬态负载变化的需求。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性,其最大功耗为 130W,并可在高达 +175°C 的结温下稳定工作。这一特性使其在高温环境下依然保持可靠的性能。
此外,APT10M19SVR 采用 TO-220 封装,便于散热和安装。这种封装形式广泛应用于工业级电源设计中,能够有效提升产品的稳定性和耐用性。
APT10M19SVR 常用于多种电源管理和功率控制应用中。例如,它被广泛应用于开关电源 (SMPS) 中,作为主开关或同步整流器,以提高转换效率并减少发热。
在直流-直流转换器中,APT10M19SVR 可用于升压 (Boost) 或降压 (Buck) 电路,提供高效能的能量转换。由于其低导通电阻和高电流能力,特别适合用于高功率密度的 DC-DC 模块设计。
此外,APT10M19SVR 还适用于电机驱动和功率负载开关应用。例如,在工业自动化设备中,它可以用于控制电机的启停和方向,提供稳定的电流传输并减少功率损耗。
该器件也常用于电池管理系统 (BMS) 中,作为充放电控制开关。其高可靠性和良好的热稳定性确保了电池系统在复杂环境下的安全运行。
IRF1405, FDP19N20, FQP19N10L