容量：256Mbit（32M x 8/16）
　　电压范围：2.7V至3.6V
　　访问时间：55ns（最大）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：异步NOR Flash接口
　　封装引脚数：56-pin
　　编程/擦除电压：内部产生，无需高压电源
　　擦除块大小：可变块架构
　　数据保持时间：大于10年
　　编程时间：最大1ms/word

HN29W256SH02TE-1是一款高性能的并行NOR Flash存储器，具备快速的随机读取能力，支持XIP（就地执行）功能，使系统可以直接从闪存中执行代码而无需加载到RAM中，从而提高系统效率。
　　该芯片支持异步读取模式，接口简单，易于与各种嵌入式处理器连接。其可变块擦除架构允许用户根据需要选择擦除特定的块区域，提高擦写灵活性并延长芯片寿命。
　　HN29W256SH02TE-1具备较高的可靠性，支持10万次编程/擦除周期，数据保持时间超过10年，适用于要求严苛的工业和汽车应用。其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，确保在极端环境下的稳定运行。
　　该芯片内置命令寄存器和自动编程/擦除功能，简化了系统设计，并降低了主控芯片的负载。此外，HN29W256SH02TE-1还支持低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，以满足低功耗应用需求。

HN29W256SH02TE-1适用于需要高速、高可靠性和执行代码能力的嵌入式系统。常见应用包括：
　　? 通信设备：如路由器、交换机、基站模块等，用于存储固件和配置数据。
　　? 工业控制：如PLC、工业计算机、HMI（人机界面）设备等。
　　? 汽车电子：如车载导航系统、仪表盘控制器、ECU（电子控制单元）等。
　　? 医疗设备：如便携式诊断设备、监护仪等对数据存储可靠性要求高的场合。
　　? 消费电子产品：如智能电视、机顶盒、高端打印机等。

M29W256GH5AN6E4, AM29LV256M, S29GL256S