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HN29W256SH01TE-1 发布时间 时间:2025/9/6 23:25:09 查看 阅读:23

HN29W256SH01TE-1是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的NOR闪存芯片。这款芯片的存储容量为256Mbit,主要面向需要高可靠性和快速读取性能的应用场景。该器件采用高性能的CMOS工艺制造,支持快速读取和低功耗操作,适合在多种嵌入式系统中使用。HN29W256SH01TE-1的封装形式通常为TSOP(Thin Small Outline Package),便于在空间受限的设备中安装。

参数

容量:256Mbit
  电压范围:2.3V至3.6V
  读取速度:最高可达100MHz
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行接口
  擦写寿命:10万次以上
  数据保存时间:10年以上

特性

HN29W256SH01TE-1是一款高性能的NOR型闪存芯片,具备快速读取能力和高可靠性。其并行接口设计使其适用于需要高速数据访问的应用场景,如网络设备、通信模块、工业控制系统等。该芯片支持标准的读取、编程和擦除操作,具有优异的耐用性和数据保持能力。
  此外,HN29W256SH01TE-1还具备低功耗特性,在待机模式下消耗电流极低,非常适合电池供电设备使用。该芯片内置的自动擦除和编程功能简化了系统设计,并提高了存储管理的效率。其高集成度和稳定的性能使其成为许多嵌入式系统中的关键存储元件。
  在数据安全性方面,HN29W256SH01TE-1支持软件数据保护机制,防止因误操作而导致的数据丢失或损坏。同时,它具备较高的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境下稳定工作,满足工业级应用的需求。

应用

HN29W256SH01TE-1广泛应用于嵌入式系统、网络设备、通信模块、工业控制系统、消费电子产品以及汽车电子等领域。在路由器、交换机、数字电视、机顶盒、智能卡终端等设备中,该芯片常用于存储固件、引导代码、配置信息和小型应用程序等。由于其高可靠性和宽温工作范围,HN29W256SH01TE-1也非常适合在恶劣环境下的工业控制设备中使用。

替代型号

AM29LV256MT-120RE, MX29LV256CTTC-10G

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