时间：2025/9/7 16:02:43
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HN29V51211T-50 是一款由 Renesas（原 Hitachi）生产的 512K x 18 位高速异步静态随机存取存储器（Static RAM）。该器件采用先进的 CMOS 工艺制造，提供高速访问时间、低功耗和高可靠性，适用于需要高性能存储解决方案的工业、通信和网络设备。HN29V51211T-50 是一种异步 SRAM，其访问时间仅为 50ns，适用于需要快速数据访问的实时系统。
容量：512K x 18 位
组织方式：512K 地址空间，每个地址存储 18 位数据
访问时间：50ns
电源电压：3.3V
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：54 引脚 TSOP（Thin Small Outline Package）
输入/输出电平：TTL/CMOS 兼容
工作模式：异步
功耗（典型值）：约 1.5W
封装尺寸：约 18mm x 20mm
HN29V51211T-50 是一款高性能异步静态 RAM，适用于需要快速数据存取和高稳定性的应用环境。其主要特性包括高速访问时间、低功耗设计、宽温度范围支持以及高集成度。
首先，该器件的访问时间为 50ns，使其能够满足高速缓存、网络缓冲和实时处理等应用对快速响应的需求。其异步接口允许灵活的时序控制，适用于各种嵌入式系统和存储控制器。
其次，HN29V51211T-50 采用 3.3V 电源供电，相比传统的 5V SRAM 器件具有更低的功耗，适合对功耗敏感的应用，如便携式设备和工业控制系统。其 CMOS 工艺确保了低待机电流和高抗噪能力，提高了系统的稳定性和可靠性。
此外，该 SRAM 支持 -40°C 至 +85°C 的宽工作温度范围，适用于严苛的工业环境。其 54 引脚 TSOP 封装提供了良好的散热性能和空间节省，便于在高密度 PCB 设计中使用。
在功能方面，HN29V51211T-50 提供了 CE（片选）、OE（输出使能）和 WE（写使能）控制信号，允许用户灵活地进行读写操作。该器件还支持数据掩码（BWE 和 GW）功能，可在写入操作中选择性地更新部分数据位，提高数据处理的效率。
HN29V51211T-50 主要应用于需要高速数据存取和大容量 SRAM 的场合。典型应用包括网络交换机和路由器的缓存、工业控制器的高速缓冲存储器、通信设备的临时数据存储以及嵌入式系统的主存或缓存。由于其异步接口和灵活的控制信号，它也适用于需要与多种处理器或控制器配合使用的系统设计。
HN29V51211T-70, CY7C1512KV18-50B, IDT71V416SA50Pf
