时间：2025/8/13 15:36:03
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LMBT2222BDW1T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，专为需要高开关速度和低导通电阻的应用设计。该器件采用先进的 Trench 技术，提供出色的性能和可靠性。LMBT2222BDW1T1G 特别适用于电源管理、负载开关、马达控制和电池供电设备等应用。该器件采用 SOT-363 封装，具有小尺寸和高集成度的优点。
类型：MOSFET（双 N 沟道）
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：100mA（每个通道）
导通电阻（RDS(ON)）：5Ω @ VGS = 4.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-363
LMBT2222BDW1T1G 具有多个关键特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其双 N 沟道 MOSFET 设计允许两个独立通道的操作，适用于复杂的开关控制场景。该器件采用的 Trench 技术有助于降低导通电阻，从而减少功率损耗并提高效率。此外，LMBT2222BDW1T1G 提供了快速的开关性能，适用于高频操作环境。
该器件的 SOT-363 小型封装设计使其适用于空间受限的电路板布局。其额定工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +150°C，确保在极端环境条件下仍能保持稳定性能。LMBT2222BDW1T1G 还具备良好的热稳定性和抗静电能力，增强了器件的可靠性，适用于工业和消费类电子产品。
LMBT2222BDW1T1G 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、负载开关、马达控制、电池供电系统以及便携式电子设备。在电源管理系统中，它可作为高效的开关元件，控制电源的分配和管理。在负载开关应用中，该器件能够实现快速响应和低功耗操作。此外，LMBT2222BDW1T1G 也适用于需要精确控制和高效能的马达驱动系统，以及各种需要小型化和高性能的电子设备。
Si2302DS, DMN6024LSD, BSS138
