HN2064CG 时间：2025/12/26 13:13:43 阅读：12

HN2064CG是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用高效率的沟槽栅极工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等特点，适用于需要高效能和紧凑设计的现代电子设备。HN2064CG通常被封装在小型表面贴装PowerFLAT 5x6封装中，有助于减小PCB占用空间并提升功率密度。其设计目标是为DC-DC转换器、同步整流、电池供电系统以及工业控制等应用提供可靠的性能支持。由于其优异的电气特性和坚固的封装结构，HN2064CG能够在高温和高负载条件下稳定运行，满足工业级和汽车级应用的要求。此外，该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了系统的鲁棒性与可靠性。整体而言，HN2064CG是一款高性能、高可靠性的功率开关器件，适合对效率和空间有严格要求的应用场景。
　　

参数

型号：HN2064CG
　　制造商：Renesas Electronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：130 A
　　脉冲漏极电流IDM：390 A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：2.3 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：3.0 mΩ
　　栅极电荷Qg（典型值）：85 nC
　　输入电容Ciss（典型值）：4700 pF
　　开启延迟时间td(on)（典型值）：25 ns
　　关断延迟时间td(off)（典型值）：45 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

HN2064CG采用了先进的沟槽栅极技术，这种结构通过在硅片上形成垂直的沟槽来增加单位面积内的沟道宽度，从而显著降低导通电阻RDS(on)，提高电流处理能力。该器件在VGS = 10V时，最大RDS(on)仅为2.3mΩ，在同类产品中处于领先水平，这意味着在大电流工作状态下功耗更低，发热量更小，有助于提升系统整体效率并减少散热设计的复杂度。同时，其在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的导通电阻（3.0mΩ），使其兼容3.3V或5V逻辑电平的控制器，适用于由微控制器直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET具备出色的动态性能，其栅极电荷Qg仅为85nC，输入电容Ciss为4700pF，这些参数表明其在高频开关应用中具有较低的驱动损耗和快速的开关响应能力。开启延迟时间和关断延迟时间分别为25ns和45ns，确保了在高频PWM控制下的精确时序控制，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源设计。此外，HN2064CG的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，能够在极端环境温度下稳定运行，适合用于工业自动化、电动汽车辅助系统和高温环境下的电源模块。
　　PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧，而且具有优异的热传导性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的散热焊盘有效将热量传递到地层或散热器，进一步提升功率处理能力。该封装符合RoHS标准，并支持自动贴片生产，有利于大规模制造。器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过压冲击，提升了系统在异常工况下的安全性。内置的体二极管也经过优化，具有较低的反向恢复电荷，减少了开关过程中的能量损耗和电压尖峰。综上所述，HN2064CG凭借其低RDS(on)、高电流能力、快速开关特性和高可靠性，成为高性能电源系统中的理想选择。

应用

HN2064CG广泛应用于多种高效率电源系统中，包括但不限于同步降压转换器、DC-DC变换器、服务器电源单元（PSU）、电信设备电源模块以及电池管理系统（BMS）。由于其高电流承载能力和低导通损耗，特别适合用于多相VRM（电压调节模块）设计，为高性能CPU或GPU提供稳定的供电支持。此外，该器件也可用于电机驱动电路，例如无人机电调、电动工具和小型伺服系统中，作为主开关元件实现高效的能量转换与控制。在工业自动化领域，HN2064CG可用于PLC输出模块、继电器替代开关以及H桥驱动电路中，提供快速响应和长寿命的固态开关解决方案。其紧凑的封装形式也使其成为便携式电子设备和高密度电源板的理想选择，例如笔记本电脑适配器、移动储能电源和LED驱动电源等。在汽车电子方面，虽然该器件未明确标定为AEC-Q101认证，但其宽温特性和高可靠性使其可应用于非安全关键类的车载电源系统，如车载充电器、辅助电源模块和车载照明控制系统。总之，HN2064CG凭借其卓越的电气性能和稳健的设计，适用于各类对效率、尺寸和可靠性有较高要求的现代电力电子应用。