时间：2025/8/20 20:57:12
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HMT41GU6BFR8A-PB 是由SK hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）模块，属于DDR4 SDRAM类别。该内存模块专为需要高带宽和能效的应用场景设计，广泛用于服务器、工作站和高端台式机系统。该模块容量为1GB，采用UDIMM（无缓冲双列直插内存模块）封装形式，运行电压为1.2V，符合JEDEC标准，并支持ECC（错误检查和纠正）功能以提高数据完整性和系统稳定性。
容量：1GB
类型：DDR4 SDRAM
模块类型：UDIMM
电压：1.2V
数据速率：2400MT/s
CAS延迟（CL）：17
行地址位数（A0-A15）：16位
列地址位数（A0-A11）：12位
内存总线宽度：x8
ECC支持：支持
刷新方式：自动刷新
封装形式：288针UDIMM
HMT41GU6BFR8A-PB具备多项先进特性，首先其DDR4架构提供了更高的带宽和更低的功耗，相比于前代DDR3内存，其电压由1.5V降至1.2V，显著降低了功耗并提高了能效。其次，该模块支持ECC功能，能够检测并纠正单比特错误，有效提升系统的数据完整性和稳定性，适用于对可靠性要求较高的服务器和工作站环境。
此外，该内存模块具备自动刷新功能，能够在系统休眠或低功耗状态下保持数据完整性，延长数据存储时间。其2400MT/s的数据速率支持高速数据传输，满足高性能计算需求。模块采用x8配置，适用于广泛的主板平台，并兼容主流的Intel和AMD芯片组。JEDEC标准化设计确保其在不同硬件平台下的兼容性和稳定性。
HMT41GU6BFR8A-PB 主要应用于服务器、企业级工作站以及高端个人计算机系统。其ECC支持特性使其特别适合用于数据库服务器、虚拟化平台、云计算基础设施等对数据完整性和系统稳定性要求较高的场景。此外，该内存模块也可用于高性能计算（HPC）、图形渲染、视频编辑等需要大量内存带宽的应用。在工业自动化、网络设备和嵌入式系统中，该模块同样可以提供可靠的内存支持。
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