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HMT41GS6AFR8A-PB 发布时间 时间:2025/7/18 19:42:09 查看 阅读:4

HMT41GS6AFR8A-PB 是一款由 Hynix(现为 SK hynix)生产的高性能 DDR4 SDRAM 内存模块。该模块设计用于满足高带宽、低功耗和高可靠性的需求,广泛应用于服务器、工作站、高性能计算(HPC)以及企业级存储系统等领域。该内存模块采用了先进的 DDR4 技术,具备更高的数据传输速率和更低的电压需求,同时增强了数据完整性和系统稳定性。

参数

容量:1GB、4GB、8GB、16GB、32GB等多种规格
  内存类型:DDR4 SDRAM
  数据速率:2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s、2933MT/s、3200MT/s 等多种频率可选
  电压:1.2V
  封装类型:FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)
  位宽:x4、x8 或 x16
  工作温度范围:0°C 至 +85°C 或 -40°C 至 +85°C(工业级温度范围)
  刷新周期:64ms
  数据校验:支持ECC(Error Correction Code)功能(可选)

特性

HMT41GS6AFR8A-PB 的核心优势在于其卓越的性能和可靠性。首先,该模块采用了 DDR4 技术,相较于前代 DDR3 内存,在相同频率下功耗降低了约20%以上,同时提供了更高的数据传输速率,最高可达3200MT/s,从而显著提升了系统性能。
  其次,该内存模块支持 ECC(Error Correction Code)功能,能够自动检测并纠正单比特错误,大幅提升了数据完整性和系统稳定性,特别适用于对数据可靠性要求极高的服务器和企业级应用。
  在物理设计方面,HMT41GS6AFR8A-PB 采用 FBGA 封装技术,确保了模块的高集成度和良好的散热性能,能够在工业级温度范围内稳定运行(-40°C 至 +85°C),适用于各种严苛的工作环境。
  此外,该内存模块还支持多种先进的内存管理技术,如 Bank Group 架构、突发长度(BL)为8的突发传输模式、写入校准(Write Leveling)和动态 ODT(On-Die Termination)等,这些特性有助于优化内存访问效率,降低信号干扰,提高整体系统性能。
  由于其优异的电气特性和封装设计,HMT41GS6AFR8A-PB 在高频工作状态下仍能保持稳定的信号完整性,适用于高性能计算、云计算和虚拟化等对内存带宽要求极高的应用场景。

应用

HMT41GS6AFR8A-PB 主要应用于高性能计算(HPC)、数据中心服务器、企业级存储系统、云计算平台、虚拟化环境、工作站、AI 加速器以及其他需要大容量、高带宽和高可靠性的嵌入式系统。由于其支持 ECC 数据校验功能,特别适用于金融、医疗、航空航天等对数据准确性要求极高的行业。
  在服务器市场中,HMT41GS6AFR8A-PB 常用于主流服务器平台,如戴尔、惠普、联想等品牌服务器,以及基于 Intel Xeon 或 AMD EPYC 处理器的服务器主板。它能够为多核处理器提供充足的内存带宽,确保系统在处理大量并发任务时依然保持高效稳定的运行状态。
  在工业控制和通信设备中,该内存模块也因其宽温特性和高可靠性而被广泛采用,适用于 5G 基站、边缘计算设备、智能电网控制单元等对环境适应性有较高要求的场景。

替代型号

HMT41GS6AFR8A-PB 的替代型号包括:HMT41GS6MFR8A-PB、HMT41GS6AFR8C-PB、HMT41GS6MFR8C-PB、HMT41GU6AFR8A-PB、HMT41GU6MFR8A-PB 等。这些型号在容量、频率、封装形式或温度范围上略有不同,可根据具体应用需求进行选择。

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