时间：2025/8/13 18:10:30
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HMT325U6BFR8C-H9 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款内存芯片广泛应用于需要高性能存储解决方案的设备中，如计算机、服务器、嵌入式系统等。HMT325U6BFR8C-H9 采用先进的制造工艺，提供较高的存储容量和较低的功耗，非常适合对性能和能效有较高要求的应用场景。
类型：DRAM
容量：256MB
组织结构：x16位
工作电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
频率：166MHz
数据速率：166MHz
刷新周期：64ms
HMT325U6BFR8C-H9 是一款高性能的DRAM芯片，具有较大的存储容量和较快的访问速度，适合需要大量数据处理的应用。该芯片的工作电压范围较宽，能够在多种电源环境下稳定工作。其TSOP封装形式有助于减小PCB板的空间占用，并提高信号完整性。此外，该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准，能够在较为严苛的环境条件下可靠运行。HMT325U6BFR8C-H9 还支持自动刷新和自刷新模式，能够在不丢失数据的情况下降低功耗。
HMT325U6BFR8C-H9 主要应用于需要高性能存储的设备，如工业计算机、通信设备、网络设备、嵌入式系统、消费类电子产品等。由于其高性能和低功耗的特点，这款芯片也非常适合用于需要长时间稳定运行的系统。
HMT325U6BFR8C-H9B
