HMT31GR7AFR4C-H9 是由SK hynix生产的一款高性能DRAM内存模块,属于HMT系列的高密度内存解决方案。该型号采用先进的DRAM技术,支持高频率运行,广泛应用于服务器、工作站以及其他对内存性能要求较高的计算设备中。这款内存模块设计稳定、功耗低,并具备良好的兼容性和扩展性,是现代高性能计算系统中常用的内存选项之一。
类型: DDR4 SDRAM
容量: 32GB (单条)
频率: 3200MHz
电压: 1.2V
CAS延迟: CL22
行地址位数: 16行地址
列地址位数: 10列地址
ECC支持: 支持
缓冲类型: Registered (带寄存器缓冲)
内存周期时间: 0.625ns
工作温度: 0°C 至 85°C
封装形式: UDIMM/RDIMM
HMT31GR7AFR4C-H9 内存模块采用了SK hynix先进的DDR4技术,具备出色的稳定性和能效表现。其3200MHz的频率支持高速数据传输,适用于需要大量内存带宽的应用场景。模块支持ECC(错误校正码)功能,可检测并纠正单比特内存错误,显著提高系统可靠性,适用于对数据完整性要求极高的服务器和工作站应用。此外,该模块采用了Registered(寄存缓冲)设计,有助于减少内存控制器的电气负载,提高多内存模块系统的稳定性。低电压设计(1.2V)降低了整体功耗,符合现代绿色节能标准。模块的封装形式为RDIMM,适合高容量内存扩展配置。
该内存模块具备良好的兼容性,广泛支持主流服务器主板和芯片组,能够在0°C至85°C的宽温度范围内稳定工作,适应各种严苛环境。其高密度设计(32GB单条)使得用户能够在有限的插槽资源下实现更大的内存容量配置,提升系统整体性能。
HMT31GR7AFR4C-H9 主要用于高性能服务器、企业级工作站以及需要大内存容量和高可靠性的计算平台。典型应用包括数据库服务器、虚拟化主机、云计算基础设施、大型企业应用系统以及高性能计算集群(HPC)。其ECC和Registered特性使其特别适合用于金融、科研、数据中心等对数据完整性与系统稳定性要求极高的场景。此外,该内存模块也可用于高端图形处理、视频编辑、3D建模等专业应用领域,为系统提供充足的内存资源以保障流畅的运行体验。
HMT32GR7AFR4C-H9, HMT11GR7AFR4C-H9, HMT41GR7AFR4A-H9