时间：2025/5/12 17:23:39
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HMT312S6BFR6C-H9N0 是一款由 Micron（美光科技）生产的 DRAM 内存颗粒。该型号属于 LPDDR4X 系列，主要应用于移动设备、平板电脑以及其他对功耗敏感的电子产品中。LPDDR4X 是一种低功耗的动态随机存取存储器技术，它通过降低 I/O 电压进一步减少了功耗，同时保持了较高的数据传输速率。
这款芯片采用 BGA 封装形式，具有高密度、低功耗和高性能的特点，非常适合需要高效能和节能的应用场景。
类型：DRAM
系列：LPDDR4X
容量：6Gb
组织方式：72 bits
I/O 电压：0.6V
VDD/VDDQ 电压：1.1V
数据速率：4266 Mbps
封装形式：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数：190
HMT312S6BFR6C-H9N0 的主要特性包括：
1. 超低功耗设计：相比传统的 LPDDR4，LPDDR4X 进一步降低了 I/O 电压，从而减少功耗。
2. 高性能表现：支持高达 4266 Mbps 的数据传输速率，满足现代移动设备对高速数据处理的需求。
3. 高密度存储：单颗芯片即可提供 6Gb 的存储容量，适合大内存需求的应用。
4. 可靠性高：经过严格的质量控制流程，确保在各种环境下的稳定运行。
5. 小型化封装：采用 BGA 封装形式，节省 PCB 空间，便于在紧凑型设备中的应用。
6. 广泛的工作温度范围：能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内正常工作，适应多种使用环境。
HMT312S6BFR6C-H9N0 主要应用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑：作为主内存，提供快速的数据访问和高效的能耗管理。
2. 可穿戴设备：由于其低功耗特性，适用于智能手表和其他便携式电子设备。
3. 物联网设备：为需要实时数据处理的物联网设备提供可靠的内存支持。
4. 嵌入式系统：用于工业自动化、医疗设备等需要高性能内存的嵌入式应用场景。
5. 笔记本电脑和超极本：提供更高的内存带宽和更低的功耗，提升用户体验。
HMT356S6EFR8C-H9K0
HMT356S6BFR8C-KBC0
HMT328S6EFR8A-H9J0
