类型：DRAM
　　容量：128MB
　　组织结构：16M x 8 / 8M x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装：FBGA
　　引脚数：54
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　数据宽度：8/16位
　　刷新周期：64ms

HMT112U6TFR8C-H9 是一款高性能DRAM芯片，具有低功耗设计，适用于各种嵌入式应用和工业设备。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性，从而降低功耗。其FBGA封装技术不仅提高了封装密度，还增强了散热性能，确保芯片在高温环境下稳定运行。
　　此外，该芯片支持多种数据总线宽度配置，包括8位和16位模式，提供了更高的灵活性，以满足不同系统设计的需求。其166MHz的时钟频率和数据速率使其能够支持高速数据处理，适用于对性能要求较高的应用场景。
　　在可靠性方面，HMT112U6TFR8C-H9 符合工业级温度标准（-40°C 至 +85°C），能够在恶劣的环境条件下稳定工作。其64ms的刷新周期能够有效平衡功耗与数据保持能力，特别适合电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。

HMT112U6TFR8C-H9 常用于需要高性能和低功耗存储方案的电子设备中，例如工业控制设备、通信模块、嵌入式系统、手持终端、网络设备以及视频监控设备等。由于其宽温工作范围和可靠的性能，该芯片也适用于户外设备和工业自动化系统。

HMT112U6TFR8C-H9的替代型号包括HMT112U6TFR8B-H9、HMT112U6TFR8C-6A、HMT112U6TFR8C-75等，这些型号在封装、速度等级或温度范围方面略有差异，可根据具体应用需求进行选择。