GA1206A182GBBBT31G 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 类型。它主要用于需要大容量数据存储的应用场景,例如固态硬盘(SSD)、U盘、嵌入式设备以及其他需要高效数据管理的电子系统。该芯片采用了先进的制程工艺,具备高可靠性和低功耗的特点。
其设计旨在满足现代电子设备对高速数据传输和高密度存储的需求,同时支持多种接口协议以确保与不同平台的兼容性。
容量:128GB
接口类型:Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V
页面大小:16KB
区块大小:2MB
通道数:8
擦写寿命:3000次
数据保留时间:10年
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
GA1206A182GBBBT31G 具有以下主要特性:
1. 高密度存储:通过采用多层单元(MLC)技术,实现了更高的存储密度。
2. 快速读写性能:支持 Toggle Mode 2.0 接口,能够提供高达 400 MB/s 的数据传输速率。
3. 稳定性:具备强大的错误纠正码(ECC)功能,有效提升了数据存储的可靠性。
4. 节能设计:优化了电源管理策略,降低了整体功耗。
5. 广泛的工作温度范围:适应各种恶劣环境条件,确保在极端温度下的正常运行。
6. 长寿命:通过先进的制造工艺和材料选择,延长了芯片的使用寿命。
GA1206A182GBBBT31G 可广泛应用于以下领域:
1. 固态硬盘(SSD):作为核心存储介质,提供快速的数据访问能力。
2. 嵌入式系统:用于工业控制、网络通信设备中的数据存储。
3. 消费类电子产品:如 U 盘、记忆卡等便携式存储设备。
4. 车载系统:适用于需要高稳定性和宽温特性的汽车电子设备。
5. 物联网(IoT)设备:为智能设备提供可靠的本地数据存储解决方案。
GA1206A162GBBBT31G, GA1206A256GBBBT31G