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GA1206A182GBBBT31G 发布时间 时间:2025/6/17 2:43:49 查看 阅读:5

GA1206A182GBBBT31G 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 类型。它主要用于需要大容量数据存储的应用场景,例如固态硬盘(SSD)、U盘、嵌入式设备以及其他需要高效数据管理的电子系统。该芯片采用了先进的制程工艺,具备高可靠性和低功耗的特点。
  其设计旨在满足现代电子设备对高速数据传输和高密度存储的需求,同时支持多种接口协议以确保与不同平台的兼容性。

参数

容量:128GB
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压:1.8V
  页面大小:16KB
  区块大小:2MB
  通道数:8
  擦写寿命:3000次
  数据保留时间:10年
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1206A182GBBBT31G 具有以下主要特性:
  1. 高密度存储:通过采用多层单元(MLC)技术,实现了更高的存储密度。
  2. 快速读写性能:支持 Toggle Mode 2.0 接口,能够提供高达 400 MB/s 的数据传输速率。
  3. 稳定性:具备强大的错误纠正码(ECC)功能,有效提升了数据存储的可靠性。
  4. 节能设计:优化了电源管理策略,降低了整体功耗。
  5. 广泛的工作温度范围:适应各种恶劣环境条件,确保在极端温度下的正常运行。
  6. 长寿命:通过先进的制造工艺和材料选择,延长了芯片的使用寿命。

应用

GA1206A182GBBBT31G 可广泛应用于以下领域:
  1. 固态硬盘(SSD):作为核心存储介质,提供快速的数据访问能力。
  2. 嵌入式系统:用于工业控制、网络通信设备中的数据存储。
  3. 消费类电子产品:如 U 盘、记忆卡等便携式存储设备。
  4. 车载系统:适用于需要高稳定性和宽温特性的汽车电子设备。
  5. 物联网(IoT)设备:为智能设备提供可靠的本地数据存储解决方案。

替代型号

GA1206A162GBBBT31G, GA1206A256GBBBT31G

GA1206A182GBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-