HMT112S6TFR8C-G7 是一款由海力士(SK Hynix)生产的 DDR4 ECC 内存模块芯片。该型号主要应用于服务器、工作站和其他需要高可靠性和高性能的数据处理设备中。DDR4 技术提供了更高的数据传输速率和更低的功耗,而 ECC(Error-Correcting Code)功能则可以检测并纠正内存中的单比特错误,从而提高系统的稳定性和数据完整性。
此芯片具有低延迟和高带宽的特点,适用于多核处理器环境下的复杂计算任务。
类型:DDR4 ECC
容量:16GB
电压:1.2V
速度:2666 MT/s
封装:BGA
工作温度:0°C 至 85°C
引脚数:288
数据宽度:x64
HMT112S6TFR8C-G7 芯片采用了先进的制造工艺,具备以下显著特点:
1. 支持 DDR4 标准,提供高达 2666 MT/s 的数据传输速率,满足现代高性能计算的需求。
2. 集成了 ECC 功能,能够有效检测和修正内存错误,确保数据的可靠性。
3. 使用 BGA 封装技术,减少了信号干扰,提高了电气性能。
4. 工作电压为 1.2V,相较于之前的 DDR3 标准降低了功耗,提升了能效比。
5. 支持多通道操作,可与其他相同规格的内存芯片一起使用以扩展系统内存容量。
6. 具有较高的抗电磁干扰能力,适合在复杂的电磁环境中使用。
HMT112S6TFR8C-G7 主要用于以下领域:
1. 企业级服务器和数据中心,支持大规模并发计算和数据存储。
2. 工作站和高性能计算机,满足图形处理、科学计算等对内存要求极高的应用场景。
3. 网络设备和通信基础设施,如路由器和交换机,保障数据传输的高效性和稳定性。
4. 医疗影像设备和工业自动化控制系统,提供高精度和实时响应能力。
HMT451U6AFR8A-PB
HMT351U6EFR8A-PB