时间：2025/8/13 5:21:48
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HMSD54T1G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件广泛应用于中等功率放大电路、开关电路和电源管理电路中。HMSD54T1G采用SOT-23封装，适合表面贴装工艺，适用于多种工业和消费类电子设备。
类型：NPN晶体管
封装类型：SOT-23
最大集电极电流（IC）：100mA
最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
最大集电极-基极电压（VCB）：30V
最大功耗（PD）：300mW
最大工作温度：150°C
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：范围从110到800（根据等级划分）
安装类型：表面贴装
HMSD54T1G晶体管具有优异的电气性能和稳定性，适合用于高频放大和开关应用。该晶体管的电流增益（hFE）具有多个等级选择，用户可以根据应用需求选择适当的增益等级。其高频响应能力（fT=100MHz）使其适用于射频（RF）和高速数字电路中的放大器设计。此外，HMSD54T1G具备良好的热稳定性和低噪声特性，有助于提高电路的可靠性。SOT-23封装结构使其易于集成在小型PCB设计中，支持自动化生产和表面贴装技术（SMT），降低了生产成本并提高了生产效率。
HMSD54T1G常用于各类电子设备中的信号放大、电源开关、逆变器控制和继电器驱动等应用。它广泛应用于消费类电子产品（如智能手机、音频放大器和LED驱动电路）、工业控制设备（如传感器接口电路和继电器控制）、通信设备（如射频放大器和信号调节电路）以及汽车电子系统（如车载传感器和控制模块）。此外，该晶体管也适用于电池供电设备中的电源管理电路，能够有效提高能源利用效率。
BC847系列、2N3904、MPS2222、MMBT3904
