时间：2025/9/1 16:51:42
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HMS81C1708B-HN011是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于异步DRAM类别，其设计用于提供高密度、高速度的数据存储功能。HMS81C1708B-HN011采用标准的TSOP（薄型小轮廓封装）封装形式，适用于多种电子设备和系统，如计算机、工业控制设备、通信设备等。该芯片的工作电压为5V，具有较高的稳定性和可靠性，适合在各种工业环境下运行。
容量：1M x 8 位
组织结构：1MB
电压：5V ± 10%
访问时间：55ns、70ns、85ns（根据具体后缀而定）
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据输出类型：三态输出
刷新周期：64ms
封装尺寸：标准TSOP尺寸
最大功耗：约400mA（典型值）
HMS81C1708B-HN011是一款高性能的异步DRAM芯片，具备快速存取时间和低功耗的特点。其1M x 8位的组织结构使其适用于需要较大存储容量但又不需要同步时钟控制的应用场景。该芯片的访问时间有多个等级（如55ns、70ns、85ns），用户可以根据系统需求选择合适的型号。其TSOP封装设计不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适合高密度电路板布局。
此外，该DRAM芯片支持标准的刷新操作，刷新周期为64ms，确保数据在断电情况下不会丢失。其三态输出功能有助于减少系统总线上的冲突，提高整体系统的稳定性。HMS81C1708B-HN011还具备较高的抗干扰能力和良好的兼容性，能够与多种控制器和处理器无缝对接，广泛应用于工业控制、嵌入式系统和通信设备等领域。
HMS81C1708B-HN011主要应用于需要中等容量存储的电子系统中。由于其异步接口和高可靠性，该芯片广泛用于工业控制系统、通信设备、测试仪器、消费类电子产品（如老式计算机和游戏机）、以及嵌入式系统中作为主存储器或缓存使用。在这些应用中，它能够提供快速的数据访问能力，支持系统的高效运行。
ISSI：IS42S16100A-6T、Alliance：AS4C1M8D100B1-6T、Micron：MT48LC16M1A2B4-6A
