时间：2025/8/9 13:42:52
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2SK3691-01MR是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于如DC-DC转换器、电源供应器、电机驱动器和负载开关等应用场景。该型号的封装为SOP（小型封装），适合表面贴装，便于在紧凑的电路板上使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP-8
2SK3691-01MR具有多项优秀的电气和物理特性，使其在功率MOSFET领域表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为55mΩ，能够在高电流条件下实现更低的功率损耗，提高整体系统效率。其次，该器件支持最大漏极电流为4A，在中高功率应用中具备良好的负载能力。此外，2SK3691-01MR采用了SOP-8封装形式，具有较小的封装尺寸，适合高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能。
在电气性能方面，2SK3691-01MR的最大漏源电压为30V，最大栅源电压为20V，使其在常见的低压功率转换应用中具备较高的可靠性。其最大功率耗散为2W，能够在相对较高的温度环境下稳定工作。器件的工作温度范围从-55°C至150°C，适应了多种严苛的工作环境，包括工业级应用。此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。
该器件还具备良好的抗静电能力和过热保护特性，有助于提升系统稳定性和延长使用寿命。综合来看，2SK3691-01MR是一款性能稳定、应用广泛的功率MOSFET，适用于多种电源管理场合。
2SK3691-01MR广泛应用于多个电子系统中，特别是在需要高效功率转换和控制的场景。其主要应用包括DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及便携式设备中的电源管理模块。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高频开关器件，提升转换效率并减小电路体积；在电源管理系统中，其低导通电阻和高电流能力有助于减少能量损耗并提高整体能效；在电机驱动器中，该器件能够提供稳定的高电流输出以驱动直流电机或步进电机；在电池管理系统中，2SK3691-01MR可用于电池充放电控制，确保安全可靠的能量传输；此外，在便携式电子产品中，其小型封装和高效能特性使其成为理想的电源开关元件。
Si2302DS, AO3400A, FDS6675, 2SK3691-01MR
