类型：P沟道增强型MOSFET
　　工作频率：DC ~ 3 GHz
　　最大漏源电压（VDS）：-10V
　　最大栅源电压（VGS）：+4V/-10V
　　最大连续漏极电流（ID）：-100mA
　　输入电容（Ciss）：约2.5pF（典型值）
　　导通电阻（RDS(on)）：约20Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

HMPS2825BLK 具备一系列适用于射频应用的优异特性。首先，它能够在高达3 GHz的频率下稳定工作，非常适合现代无线通信系统中的射频开关和可变衰减器设计。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的低插入损耗，从而提升了信号传输效率。此外，该器件的输入电容较小（约2.5 pF），有助于减少高频下的信号失真和反射损耗，提高系统的整体性能。
　　其P沟道增强型MOSFET结构使得器件在正栅极电压下导通，负栅极电压下截止，便于使用简单的控制电路进行驱动。由于其工作电压范围宽广（VGS为+4V至-10V），可以在多种电源配置下灵活应用。
　　该器件采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具有良好的热稳定性和可靠性。其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种恶劣环境下的应用，如户外通信设备、工业控制系统等。

HMPS2825BLK 主要应用于射频通信系统中的信号控制元件，如射频开关、衰减器、滤波器切换电路以及天线调谐模块。在无线基础设施设备中，该器件可用于基站和中继器中的射频信号路径切换，实现对不同频段或不同天线路径的选择控制。在测试与测量设备中，它可以作为可编程衰减器的核心元件，提供精确的信号调节能力。此外，该器件也适用于工业自动化系统中的无线通信模块，如远程监控和数据采集系统，确保高频信号的可靠传输。
　　在消费类电子产品中，如高端路由器和射频调制解调器，HMPS2825BLK也可用于优化射频前端性能，提高信号接收质量。

HMC470LP3E, BF998, PMBFJ279, BF991